信息存储应用技术
  • 2T1C铁电随机存取存储器单元的制作方法
    相关申请的交叉引用本申请是于2017年9月25日提交的第15/714,912号美国专利申请的国际申请,其根据35u.s.c.119(e)要求于2017年6月13日提交的第62/519,042号美国临时专利申请的优先权权益,以上所有申请通过引用以其整体并入本文。本公开大体上涉及半导体存储器,且更具体...
  • 用于具有集成处理器的DRAM的行锤效应校正逻辑模块的制作方法
    本描述涉及具有集成处理器的dram(动态随机存取存储器)电路领域。行锤效应是如下事实:在给定的dram存储体(bank)中,重复地激活给定dram行可以使得物理上相邻的行反转其某些位的值。被过度激活的行将被称为“攻击者行”并且其两个相邻行将被称为“受害者行”。具体地,激活dram存储体内部...
  • 基于相互关系和起音分析的混合音频信号同步的制作方法
    相关申请的交叉引用本申请要求以下在先申请的优先权:于2017年6月27日提交的西班牙专利申请p201730846(卷号:d17010es);于2017年8月28日提交的美国临时申请62/550,810(卷号:d17010usp1)和于2017年8月28日提交的欧洲申请17188117.0(卷号:d...
  • 一种存储设备掉电测试方法、装置及系统与流程
    本发明涉及存储设备测试方法,特别涉及一种存储设备掉电测试方法、装置及系统。对于存储设备而言,保证数据的可靠存储与稳定性是其功能属性中的重点,而异常掉电测试就是验证其数据存储可靠度的一个重要场景。当发生异常掉电时,若存储设备的掉电保护策略设计不当,往往会造成大量的数据丢失,从而给存储设备的提...
  • 半导体器件的制作方法
    相关申请的交叉引用本申请要求于2018年7月18日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10-2018-0083292的优先权,其全部内容通过引用合并于此。本公开的实施例涉及在刷新操作期间执行修复操作的半导体器件。在半导体器件中,dram(动态随机存取存储器)具有这样的特性,即,储存在其存储...
  • 检测固态存储装置存储状态的方法与流程
    本发明有关于固态存储装置,且特别是有关于一种检测固态存储装置存储状态的方法。现在内存应用越来越普及化,在使用过程中会随着抹除与写入次数一些因素造成内存内部损伤,进而造成错误率上升,使得非挥发性内存(non-volatilememory)可靠度急遽下降,因此可以通过可靠性设计技术,特别是更正...
  • 半导体存储器装置的制作方法
    本发明涉及半导体存储器装置。在dram(dynamicrandomaccessmemory,动态随机存取存储器)等半导体存储器的制造工序中,在该半导体存储器被形成的晶圆的晶圆测试工序中,进行用于判定半导体存储器的好坏的测试。在这样的测试中,不满足规定的工作条件的存储器单元被检测作为不合格单...
  • 半导体存储器的测试方法与流程
    本发明涉及半导体存储器的测试方法。在dram(dynamicrandomaccessmemory,动态随机存取存储器)等半导体存储器的制造工序中,在该半导体存储器被形成的晶圆的晶圆测试工序中,进行用于判定半导体存储器的好坏的测试(例如,专利文献1)。在这样的测试中,不满足规定的工作条件的存...
  • 移位寄存器和显示面板的制作方法
    本发明实施例涉及移位寄存器,尤其涉及一种移位寄存器和显示面板。移位寄存器是一种将输出信号相对于输入信号进行移位的器件,在现代电子电路,如显示面板中有着重要的应用。然而,现有的显示面板中的移位寄存器稳定性较差,容易造成闪屏等现象,严重影响显示效果。发明内容本发明提供一种移位寄存器和显...
  • 一种新的存储器装置及操作方法与流程
    本发明涉及半导体存储器,特别是涉及一种新的存储器装置及操作方法。nand闪存是一种非易失性储存器,其具有存储容量大、功耗小及成本低的优点。在当前常见的nand闪存器件的结构组织中,通常包含多个逻辑单元(lun,logicunit)。为了提升nand器件编程等操作的速度,越来越多的n...
  • 闪存控制器以及用来存取闪存模块的方法与流程
    本发明是关于闪存的存取控制,尤指一种用来进行闪存模块的存取管理的方法、相关的闪存控制器以及电子装置。近年来由于存储器的技术不断地发展,各种可携式或非可携式记忆装置(例如:分别符合sd/mmc、cf、ms、xd及ufs标准的记忆卡;又例如:固态硬盘(solidstatedrive,ssd);...
  • 闪存控制器、闪存模块以及电子装置的制作方法
    本发明关于闪存的存取控制,尤指一种闪存模块、闪存控制器以及电子装置的用来进行存取管理的方法。近年来由于存储器的技术不断地发展,各种可携式或非可携式记忆装置(例如:分别符合sd/mmc、cf、ms、xd及ufs标准的记忆卡;又例如:固态硬盘(solidstatedrive,ssd);又例如:...
  • 闪存控制器以及用来存取闪存模块的方法与流程
    本发明关于闪存的存取控制,尤指一种用来进行闪存模块的存取管理的方法、相关的闪存控制器以及电子装置。近年来由于存储器的技术不断地发展,各种可携式或非可携式记忆装置(例如:分别符合sd/mmc、cf、ms、xd及ufs标准的记忆卡;又例如:固态硬盘(solidstatedrive,ssd);又...
  • 三维存储器及其驱动方法、及其驱动装置、及电子设备与流程
    本发明涉及半导体器件,特别涉及一种三维存储器及其驱动方法、及其驱动装置、及电子设备。电荷俘获型三维存储器(ctm)由于高存储密度,高稳定性和成熟的制备工艺而成为存储器闪存(flash)主流结构。三维存储器的两个存储块之间通过间隔槽进行间隔,间隔槽使得其中的一个存储块进行读、编程或者...
  • 具有信号控制机制的存储器装置和存储器装置的操作方法与流程
    本公开实施例涉及存储器装置,且确切地说,涉及具有信号控制机制的存储器装置。存储器系统可使用存储器装置来存储和存取信息。存储器装置可包含易失性存储器装置、非易失性存储器装置,或组合装置。例如动态随机存取存储器(dram)等存储器装置可利用电能来存储和存取数据。举例来说,存储器装置可包含针对高...
  • 动态随机存取存储器的制作方法
    本发明涉及一种存储器,尤其涉及一种动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory,dram)。最近,窄频物联网(narrowbandinternetofthings,nb-iot,例如可穿戴设备、移动设备等)的产品需要具有大约百万比特存储器容量的低功率存储器。因此,...
  • 存储阵列块及半导体存储器的制作方法
    本申请涉及半导体,具体涉及一种存储阵列块及半导体存储器。rram(resistiverandomaccessmemory,阻变存储器)是一种新型存储器,在嵌入式、人工智能、边缘计算等领域有很广阔的应用前景。rram投入到实际应用的关键是缩小存储单元,存储单元大小不仅决定了存储器的成...
  • 半导体存储装置的制作方法
    [相关申请]本申请享受以日本专利申请2018-135193号(申请日:2018年7月18日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的所有内容。概括来讲,实施方式涉及一种半导体存储装置。已知有具有呈三维排列的存储单元的半导体存储装置。发明内容[发明要解决的问题]实施方式提...
  • 低温存储单元及存储器件的制作方法
    本发明属于超导电子信息,涉及一种低温存储单元及存储器件。近年来,伴随着摩尔定律逐渐失效,计算机的发展进入了瓶颈阶段,单核中央处理器(cpu)的时钟频率停顿在4ghz左右,难以继续提高。与此同时,随着超级计算机的发展,大规模计算所消耗的电能也越来越庞大,能耗逐渐成为计算机进一步发展中...
  • 媒体资源板播放通告音方法及装置、计算机设备、存储介质与流程
    本申请涉及语音通话,特别是涉及一种媒体资源板播放通告音方法及装置、计算机设备、可读存储介质。在voip(基于ip的语音传输(英语:voiceoverinternetprotocol,缩写为voip)是一种语音通话技术)系统中,主机负责呼叫信令的处理和媒体资源的操作,通常主机运行的环...
技术分类