无机化学及其化合物制造及其合成,应用技术
  • 包括坩埚和屏障的拉晶系统和方法与流程
    本公开总体上涉及用于由熔体形成半导体或太阳能材料的晶锭的单晶拉制系统,并且更具体地涉及包括坩埚和限制熔体内的运动的屏障的系统和方法。在通过提拉(cz)法生长的单晶硅的生产中,将多晶硅在拉晶装置的诸如为石英坩埚的坩埚中熔化,以形成硅熔体。拉晶器将籽晶下降到熔体中,并且缓慢地将籽晶从熔体中提升...
  • 用于生产含碳化硅结构的方法、组合物和设备与流程
    本发明涉及生成制造方法,特别是增材制造的。特别地,本发明涉及一种用于生产包含碳化硅的结构,特别是含碳化硅的三维物体的方法。此外,本发明涉及一种组合物,特别是sic前体溶胶,其用于通过增材制造来生产含碳化硅的结构,并且涉及一种液体组合物在生产含碳化硅结构中的用途。最后,本发明涉及一种用于由液...
  • 本发明涉及一种水硬性组合物,更具体而言,涉及这样一种水硬性组合物,其可以充分抑制包含于结合材料中的黑色颗粒在由含有该结合材料的水硬性组合物所得到的硬化体的表面上产生黑渍(黒ずみ)的情况,从而可得到优异的表面美观的硬化体。近年来,为了减轻环境负担,有时会使用粉煤灰、高炉矿渣粉末、硅粉、石灰石...
  • 本发明涉及适于配合在用于光半导体的封装等的树脂中的填料粉末及其制造方法。发光二极管或激光二极管、光敏晶体管等的光半导体由gaas或inp等化合物半导体构成,对于机械冲击、热冲击以及气氛变化非常敏感,因此存在容易受损伤的担忧。为了防止这种现象,利用环氧树脂等透明树脂对元件进行封装,但由于树脂...
  • 玻璃薄膜的制造方法与流程
    本发明涉及例如制造带状的玻璃薄膜的方法。众所周知,用于液晶显示器、有机el显示器等的平板显示器(fpd)的平板玻璃,用于有机el照明的平板玻璃,用于作为触控面板的构成要素的强化玻璃等的制造的玻璃板,还有用于太阳能电池的面板等的玻璃板,实际情况是薄壁化被推进。例如在专利文献1中公开有一种厚度...
  • 石英玻璃体的制备的制作方法
    本发明涉及一种制备石英玻璃体的方法,其包含方法步骤i.)提供二氧化硅颗粒,ii.)自所述二氧化硅颗粒制造第一玻璃熔体,iii.)自至少一部分所述玻璃熔体制造玻璃产物,iv.)减小所述玻璃产物的尺寸以获得石英玻璃粉粒,v.)自石英玻璃粉粒制造另一玻璃熔体和vi.)自至少一部分所述另一玻璃熔体制造石英...
  • 六角板状氧化锌的制造方法与流程
    本发明涉及一种六角板状氧化锌的制造方法。更详细地,涉及一种能够适宜地用于化妆品等用途的六角板状氧化锌的制造方法。近年来,将用于保护肌肤不受太阳光等中所含的紫外线、红外线的伤害的成分配合在化妆品中的情况越来越多,作为吸收或反射紫外线、红外线的成分,使用了各种成分。其中之一是氧化锌,并公开了使...
  • 基于铈的颗粒的制作方法
    本发明涉及基于铈的颗粒及其作为用于抛光的组合物、具体是cmp组合物的组分的用途。本发明还涉及制备这些基于铈的颗粒的方法。本申请要求于2017年6月15日提交的欧洲申请号17176255.2的优先权,出于所有目的将所述申请的全部内容通过援引方式并入本申请。技术问题由于其良好的研磨特性,已知基于铈的颗...
  • 氨的分离方法及沸石与流程
    本发明涉及一种方法,其从由包含氨气且包含氢气和/或氮气的多种成分构成的混合气体中,使用沸石膜使氨气选择性透过而分离氨。此外,本发明涉及一种沸石膜,其即使在高温条件下,也可以从由包含氨气且包含氢气和/或氮气的多种成分构成的混合气体中有效地分离氨。近年来,作为气体(gas)混合物的分离方法,提...
  • 生产铀硅化物的方法与流程
    有关政府权利的声明本发明是在由能源部签署的第de-ne0008222号合同下,利用政府的支持完成的。美国政府享有本发明中的一定的权利。发明背景1.发明领域本发明涉及制造用作核燃料的铀硅化物的方法,更具体地说,涉及使用碳化铀作为中间体产生铀硅化物的方法。2.现有技术的描述商业核燃料的制备主要是通过使...
  • 表面修饰纳米金刚石、包含表面修饰纳米金刚石的分散液、及树脂分散体的制作方法
    本发明涉及表面修饰纳米金刚石、包含上述表面修饰纳米金刚石的分散液、以及包含上述表面修饰纳米金刚石的树脂分散体。本申请主张在2017年6月19日向日本申请的日本特愿2017-119544号的优先权,将其内容援引于此。已知纳米尺寸的微细物质具有在大尺寸状态下无法表现出的新特性。例如,纳米金刚石...
  • 长晶炉的制作方法
    本发明涉及,具体地涉及一种长晶炉。在采用长晶炉生产晶体的过程中,需要先使用炉盖将长晶炉腔室进行密封,再将长晶炉腔室的空气抽净,达到一定的真空度后,才能开始进行晶体的生长。为了保证晶体的生长效率,整个生长过程要求长晶炉的腔室具有较好的密封效果。目前,传统的炉盖存在其密封圈漏率较高,无法保证长...
  • 一种BaHgGeSe4非线性光学晶体及其制备方法和应用与流程
    本发明涉及一种bahggese4的非线性光学晶体(bahggese4单晶)及该bahggese4单晶的制备方法和该bahggese4单晶用于制作的非线性光学器件的用途。具有非线性光学效应的晶体称为非线性光学晶体。这里非线性光学效应是指倍频、和频、差频、参量放大等效应。只有不具有对称中心的晶...
  • 基座、SiC单晶的制造装置和制造方法与流程
    本发明涉及支持sic的单晶生长用的晶种(籽晶)的基座和具备该基座的sic单晶的制造装置以及制造方法。本申请基于2018年7月18日在日本提出申请的专利申请2018-135092号主张优先权,将其内容引用于此。已知作为半导体材料的碳化硅(sic)与现在作为器件用基板广泛使用的si(硅)相比带...
  • 利用溶液自组装制备高荧光零维钙钛矿单晶的方法与流程
    本发明涉及一种利用溶液自组装制备高荧光零维钙钛矿单晶的方法,属于光电材料与器件。钙钛矿是一类以abx3形式存在的材料。其基本结构单元为bx6八面体,通过共享基本单元而形成网状结构,a存在于空位中。因此,当光照之后产生自由电子和空穴,会沿着三维方向传输。由于其较高的吸收系数和迁移率,...
  • 于外延生长之前预清洁基板表面的方法和设备与流程
    本申请是申请日为2014年7月22日申请的申请号为201480043644.7,并且发明名称为“于外延生长之前预清洁基板表面的方法和设备”的发明专利申请的分案申请。本发明的实施方式大体涉及从基板表面移除污染物和氧化物的方法和设备。集成电路形成于硅和其他半导体基板中以及形成于硅和其他半导体基...
  • 一种拉晶炉的制作方法
    本发明涉及晶体生长设备领域,具体而言涉及一种拉晶炉。人工晶体在科学技术和工业生产领域中起到越来越重要的作用,特别是硅单晶作为一种半导体材料,在集成电路和其他电子元件应用越来越广泛。现有的大部分的硅单晶都采用直拉法在拉晶炉内生长,直拉法生长硅单晶需要化料、引晶、放肩、等径、收尾和冷却等工艺过...
  • 一种应用于单晶炉的冷却装置及单晶炉的制作方法
    本发明涉及晶体生长设备领域,具体而言涉及一种应用于单晶炉的冷却装置及单晶炉。人工晶体在科学技术和工业生产领域中起到越来越重要的作用,特别是单晶硅作为一种半导体材料,在集成电路和其他电子元件应用越来越广泛。现有的大部分的单晶硅都采用直拉法在单晶炉内生长,直拉法生长单晶硅需要化料、引晶、放肩、...
  • 用于二元单晶生长的系统和方法与流程
    引言本公开涉及二元单晶领域,更具体地,涉及用于生长二元单晶,例如氮化镓的系统和方法。二元单晶,包括iii-v族晶体,例如氮化镓(gan),由于其电学特性而成为有吸引力的半导体。然而,难以从这些族生长块状晶体。特别是,由于氮的离解压力较高,难以形成gan的块状晶体。例如,形成gan块状晶体的一种方法...
  • 一种利用溶液冻结制备单晶或无定型物的方法与流程
    本申请要求2018年10月30日向中国国家知识产权局提交的专利申请号为2018112792457,发明名称为“一种利用有机溶液制备与培养单晶的方法”的在先申请的优先权,该在先申请的全文通过引用的方式结合于本申请中。本发明涉及单晶或无定型物的制备,具体是涉及一种利用溶液冻结诱导溶质分子结晶或...
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